TFET相关论文
传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Filed Effect Transistor）在常温下有着60mV/dec的亚阈值......
本论文提出了一种三面隧穿的双阈值独立栅隧穿场效应晶体管Tri-Side Tunneling Independent-Gate TFET（TS-IG-TFET）,通过改变器件的......
随着集成电路制造工艺水平的提高,特征尺寸减小至纳米级,摩尔定律的发展进入了瓶颈期。为了继续推动摩尔定律的前进,提升集成电路......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
We propose a heterostructure junctionless tunnel field effect transistor(HJL-TFET) using Al Ga As/Si.In the proposed HJL......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文首先介绍了隧穿场效应晶体管（ TFET）的原理和发展概况 ,随后对2016年3月31日前已公开了TFET的相关专利申请进行统计分析,给出专......
A compact two-dimensional analytical model of the electrical characteristics of a triple-material do
This paper presents a compact two-dimensional analytical device model of surface potential,in addition to electric field......
摩尔定律经历了半个多世纪的发展,芯片集成度不断增大,性能继续提高。但是随着器件特征尺寸接近纳米量级时,器件制作工艺遇到挑战,......
随着MOSFET器件尺寸不断的缩小,除了带来芯片集成度的提高之外,也促使短沟道效应出现,导致器件关断时泄漏电流增大,而集成度进一步......
TFET作为新型的低功耗器件,物理结构上采用源漏区非对称性掺杂,通过外加栅电压控制能带偏移,进而利用隧道击穿原理实现器件工作。......
随着集成电路的蓬勃发展,市场对低功耗器件需求日趋严重,业界对其中最具发展前景的隧穿场效应晶体管(Tunnel Field-Effect Transis......
集成电路的最小核心单元结构是晶体管，其尺寸的不断缩小是集成电路技术发展的源动力，也是微电子科学与技术的发展主流，其目的是为实现......
